国际半导体技术蓝图(ITRS)及国际内存大厂一致认为，主流内存DRAM及NAND Flash因组件特性及物理结构等先天问题，将在1xnm以下遇到制程微缩的重大挑战与瓶颈，将严重影响其成本、容量及效能的发展情形。

 

工研院IEK产业情报网指出，为了持续降低内存的单位成本、提升容量与增加效能，诸多新技术正在进行研发，例如3D Memory，3D IC/TSV等，而下世代内存也有机会突破上述限制，从不同的材料与设计着手，并在2016~2021年有机会开始取代目前主流内存，例如PCM、RRAM、STT-MRAM等。

 

2012年全球内存市场规模与增长率

 

下世代内存介绍

 

ITRS成立下世代内存工作小组，挑选数个下世代内存技术，并进一步评估何者具未来发展潜力，以持续聚焦加强研发并实现商业化。除了PCM已商品化之外，ITRS认为STT-MRAM和RRAM具有较大的未来发展潜力。

 

一般产业界认为，具未来发展潜力的下世代内存技术需具备以下特性：运作机制为已知(Mechanism)、具有良好的效能、在16nm以下，可再微缩多个世代、在5~10年内(2016~2021)可准备好试产。

 

国内外各大厂商（三星、东芝、海力士、美光、尔必达等）都非常重视下世代内存技术的发展，也持续投入不少研发能量，主要包括PCM、STT-MRAM及RRAM等，待未来竞逐每年1,000亿美元的内存市场大饼(2020年)。

 

全球主要投入下世代内存之厂商说明