Globalfoundries 高级技术架构办公室主管Kengeri日前在Computex上就Globalfoundries在28nm Gate-first HKMG制程工艺及EUV光刻技术方面的进展和未来计划做了演示说明。Kengeri表示，Globalfoundries的gate-first工艺能够提供足够的晶体管门限电压调整空间，其可调范围超过了300mV，完全可以满足产品的需求。他同时还宣称公司在使用Gate-first工艺时并没有出现由于费米栓现象而导致的门限电压失控问题。另外他还指出Globalfoundries的gate-first工艺应对LVT（低门限电压）/SLVT（超低门限电压）产品时的性能是很稳定的。

 

在他看来， Globalfoundries在28nm节点选择gate-first工艺主要有两个因素，首先是gate-first工艺生产的芯片相比40nm产品而言尺寸微缩程度更高，他表示升级到28nm节点后晶体管的速度提升了50%，而每次开关时的能耗则减小了50%。另外一个因素是gate-first工艺可以基本保持原有的40nm产品的布线设计，而且28nm节点上gate-first工艺制造的晶体管在体积上也比gate-last工艺要小10-20%左右。Kengeri的这番话显然和前不久前台积电北美副总裁的说法形成了鲜明的对比，台积电方面宣布准备在28nm制程节点启用gate-last HKMG工艺。

 

因为把持着FinFET技术的77%专利，GlobalFoundries声称其所在的联盟已经占据了市场的领导权，而英特尔只能是追赶该联盟的角色。Kengeri说到，77%的FinFET技术专利是由GlobalFoundries、IBM、三星通用平台联盟共同拥有，英特尔无疑已经实现了FinFET技术，但是通用平台联盟中的企业已经在FinFET技术的研究上努力了十余年，并且已经掌握了其中77%的专利权，这将在专利纷争不断的今天占得的先机，而GlobalFoundries也会在14nm制程上开始采用FinFET技术。显然GlobalFoundries也已经走上了FinFET之路，而台积电仍旧没有任何这方面的计划宣布，“业界对台积电的制造技术由此产生了巨大的怀疑。”他称。

 

Kengeri同时透露：“我们的28nm制程将以高性能和低功耗为目标，今年底前我们会完成相关产品的流片设计，明年初则会开始试产。虽然实际产品的上市时间可能因客户而异，但我们预计明年上半年会有我们的28nm产品上市。”Globalfoundries公司的28nm制程工艺将分为三种类型：28nm HPP（高性能）型：这种工艺主要为性能进行优化，非常适合显卡芯片，游戏机芯片，存储芯片，网络芯片以及多媒体编码器芯片等产品使用；28nm-SLP(超低功耗)型：这种工艺更为重视功耗指数，非常适合无线移动设备如各类应用处理器，基带芯片，手机芯片等对省电性能要求较高的应用；28nm-LPH（低功耗高性能）型：这种工艺主要适合高端的移动计算芯片，比如双核与四核的高频应用处理器。据悉28nm-SLP制程将用于制造基于ARM架构的SOC芯片产品，而28nm-HPP制程的适用对像则无疑是AMD的显卡芯片，此前我们已经知道AMD会使用Globalfoundries的28nm制程工艺制作其下一代显卡芯片产品。

 

GlobalFoundries的产能已经每月超过20万片12英寸晶圆，并且已经满足了其所有的32nm晶圆的订单需求。在过去一个月中，GlobalFoundries在Dresden生产了8万片晶圆，在新加坡生产了5万片，而在纽约州的晶圆厂将会每月生产6万片晶圆。 从收入角度看，超过80%的收入来自于65nm及以下工艺，对比竞争对手联电，这个比例要高很多。

 

另外，Kengeri还透露Globalfoundries会紧抓三个技术发展方向：先进光刻技术，材料（新材料及其整合）以及芯片3D封装技术。他表示Globalfoundries公司在14nm制程节点可能会启用EUV光刻技术投入生产。不过他表示按照公司原来的计划，并没有准备在14nm制程节点启用EUV技术，浸没式光刻技术应该就可以满足其要求，不过公司将EUV技术视为降成本的重要手段，而且提前使用EUV还可以为公司积累有关的生产经验，这样到10nm节点以下必须启用EUV技术时便可以有充分准备。