关键字：格罗方德 FD-SOI工艺 晶圆代工 电子设计模块
GlobalFoundries采用FD-SOI的意向最早要追溯到2012年与意法半导体签署的授权协议，在意法20/28nm FDSOI工艺基础上，Globalfoundries开发一种包含四种工艺的22纳米FD-SOI平台。那是在首席执行官(CEO)Sanjay Jha2014年初就任CEO之前。
最初的计划是，Globalfoundries充当意法半导体开发的28纳米FD-SOI工艺的授权代工供应商，后来，Globalfoundries一直不断投入自己的工程技术，来开发22纳米的四种工艺变种，面向仅次于最先进的应用。当前最前沿的应用是采用14nm FinFET制程。
 Sanjay Jha CEO Globalfoundries |
Jha解释了为什么Globalfoundries接受FD-SOI，以及为什么是现在。
“过了28纳米，摩尔定律面临诸多挑战，而业界面临一个选择：FinFET或FD-SOI。我们在美国的晶圆厂拥有14nm FinFET工艺，通过收购IBM Microelectronics，我们将来可以做到7纳米。”Jha表示，“FinFET非常适合高成本、大批量和高性能的应用。但物联网与移动通讯领域有许多应用，要求较低的功耗。”
那么，为什么Globalfoundries没有更早地推出28纳米FD-SOI呢？Sanjay Jha表示，新摩尔定律现在已是主流，不再是支流，这点显而易见。
“22纳米工艺克服了28纳米节点上遇到的一些挑战。晶体管特性较好，晶粒尺寸缩减 20%，弥补了基板的成本上升。”Jha表示，“这意味着，我们能够提供更好的性能，而成本与28纳米(FD-SOI)一样。”英特尔与台积电拒绝采用FD-SOI工艺，对FinFET情有独钟，经常给出的一个理由就是SOI晶圆成本高于硅晶圆。
但是，Globalfoundries公司利用了FD-SOI提供的一种可能性，即通过反向偏压来改变晶体管的阀值电压与工作特性，甚至可以允许客户动态调整这些特性。而在FinFET结构下很难做到这点。
Jha给出的第二个理由是，市场与客户的需求不断变化。Jha表示：“三年前28纳米还是最先进的工艺。当时我们没看到市场对28nm FD-SOI有什么需求。而现在我们确实看到了需求，而且我们缩小了该工艺的尺寸，市场也向前发展了。”
FD-SOI工艺将用于Globalfoundries欧洲晶圆代工厂
22nm FD-SOI工艺将在Globalfoundries位于德国德累斯顿的晶圆厂投入使用。该工艺就是在这里宣布推出的。Jha表示，公司从德国萨克森州得到了一些支持，而且正在就这项技术“咨询”德国政府。但Jha表示，欧盟并没有向Globalfoundries公司提供鼓励措施，以促使其采用FD-SOI工艺并将其放在欧洲。
德累斯顿工厂高级副总裁兼总经理Rutger Wijburg承认，Globalfoundries公司正在参与欧盟委员会管理的一些项目，比如Horizon 2020。Wijburg表示：“我们计划扩大那种活动。”
德累斯顿工厂的年产能约为60-70万个初制晶圆。“我们希望提高到100万个。”Jha表示。Wijburg明确表示，FD-SOI和物联网对于维持德累斯顿晶圆厂十分重要，对于促进欧洲半导体与电子产业活动的潜力也非常关键。
“德累斯顿以前专注于PC。现在我们想侧重与欧洲产业相关的技术。我们需要创新以保持领先，需要技术来振兴德国与欧洲的产业。我们相信，Globalfoundries、英飞凌、恩智浦半导体与意法半导体之间有许多共同点。”Wijburg表示。
虽然FD-SOI可能被定性为适合新摩尔定律应用，FinFET被定性为适合摩尔定律的前沿应用，但Jha明确指出，新摩尔定律(More-than-Moore)现在应该被视为主流，而不是支流。“大众工艺处于28nm/22nm节点。其实最先进的纯数字才是利基工艺。”Jha表示。
他们均认为，高成本前沿工艺才是真正的利基工艺，通常为数据中心或者高计算负载应用，尽管是每年有数亿个规模的利基工艺。而且以前驱动半导体产业成长的那些市场，比如PC和智能手机，已经后继乏力。Jha和Wijburg表示，未来成长动力将来自物联网。
据悉，Globalfoundries公司拥有一个路线图，计划开发更小尺寸的FD-SOI平台，但Jha拒绝讨论这个问题。他说：“确实存在一个路线图，因为连网设备中将有更多的运算任务，但需要有一个最适当的转折点，让我们感到兴奋的点。”
同样，Jha拒绝谈论可能已经签约计划使用Globalfoundries公司22nm 22FDX平台的客户，包括客户名称及数量。由于设计套件刚刚开始提供，今天开始的客户将要再过18个月左右才能得到商业硅片。Jha只透露说：“我们对于市场接受情况非常满意。”