在电子电路中，经常会看到在集成电路的电源引脚附近有一个电解电容器，这个电容器就是去耦合电容器，简称去耦电容器，又称退耦电容器。     去耦电容器通常有两人个作用：一个是蓄能；一个是去除高频噪声。去耦电容器主要是去除高频，如RF信号的干扰。干扰的进入方式是通过电磁辐射。
    集成电路在工作的时候，其电流是不连续的，而且频率很高，而集成电路的电源引脚到总电源有一段距离，即便距离不长，在频率很高的情况下，阻抗也会很大（线路的电感影响非常大），这样会导致器件在需要电流的时候，不能被及时供给。而去耦电容器可以弥补此不足。这也是为什么很多电路板在高频器件电源引脚处放置小电容的原因之一。
    集成电路内部的开关在工作时产生的高频开关噪声将沿着电源线传播。去耦电容器的主要功能就是提供一个局部的直流电源给集成电路，以减少开关噪声在电路板的传播并将噪声引导到地。去耦电容器还可以防止电源携带噪声对电路构成干扰。在设计电路时，去耦电容器应放置在电源入口入，连线应尽可能短。
    因而在设计高速电路板时，通常在电路板的电源接入端旋转一个1～10uF的电容器，滤除低频噪声de电路板上，每个器件的电源与地线之间放置一个0.01～0.1uF的电容，滤除高频噪声。
    去耦电容器的充、放电作用使集成电路得到的供电电压比较平衡，减小了电压振荡现象；集成电路可以就近在各自的去耦电容器上吸收或释放电流，不必通过电源线从较远的电源中取得电流，因此不会影响集成电路的速度；同时去耦电容器为集成电路的瞬态变化电流提供了各自就近的高强通道，从而大大减小了向外的辐射噪声且相互间没有公共阻抗，因此抑制了共阻抗耦合。
    由于去耦电容器在高频时的阻抗将会减小到其自谐振频率，因而可以有联地去除信号线中的高频噪声，同时相对低频来说对能量没有影响，所以可在每一个集成电路的电源地脚之间加一个大小合适的去耦电容器。在选择去耦电容器类型时，应考虑那些低电感的高频电容器，如高频性能较好的多层陶瓷电容器或独石电容器。