二极管具有单向导电性。其伏安特性曲线如图下图所示。

    图中，U_on被称为死区电压，通常硅管的死区电压约为0.5V，锗管约为0.1V。当外加正向电压低于死区电压时，外电场还不足以克服内电场对扩散运动的阻挡，正向电流几乎为零。当外加正向电压超过死区电压后，内电场被大大削弱，正向电流增长很快，二极管处于正向导通状态。导通时，二极管的正向压降变化不大，硅管约为0.6～0.8V，锗管约为0.2～0.3V。温度上升，死区电压和正向压降均相应降低。
    U_BR被称为反向击穿电压，当外加反向电压低于U_BR时，二极管处于反向截止区，反向电流几乎为零，但温度上升，反向电流会有所增长。当外加反向电压超过U_BR后，反向电流突然增大，二极管失去单向导电性，这种现象称为击穿。普通二极管被击穿后，由于反向电流很大，一般会造成“热击穿”，不能恢复原来的性能，也就是失效了。稳压管工作于反向击穿区，其伏安特性曲线如下图所示。

    从上图中可以看出，反向电压在一定范围内变化时，反向电流很小。当反向电压增高到击穿电压时，反向电流突然剧增，稳压管被反向击穿。此后，电流虽然在很大范围内变化，但稳压管两端的电压变化很小。由上图可见，其特性和变通二极管类似，但它的反向击穿是可逆的，不会发生“热击穿”，而且其反向击穿后的特性曲线比较陡直，即反向电压基本不随反向电流的变化而变化。这就是稳压二极管的稳压特性。
    恒流二极管的伏安特性曲线如下图所示。

    通过上图可以看出，恒流二极管在正向工作时存在一个恒流区，在此区域内，I_H不随U_I而变化，其反向工作特性与普通二极管的正向特性有相似之处。