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Vishay发布新款采用20V P沟道MOSFET

发布时间:2012-11-30

关键字:Vishay  MOSFET 

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE代号:VSH)宣布,推出业界首款采用3.3mm x 3.3mm封装以实现在4.5V栅极驱动下4.8m最大导通电阻的20V P沟道MOSFET---Si7655DN。Si7655DN还是首个采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK 1212封装的器件,在实现低导通电阻的同时,高度比通常的0.75mm还要低28%,同时保持相同的PCB布版样式。

Si7655DN的应用将包括工业系统中的负载开关和热插拔,适配器、电池和充电电路中的负载开关,智能手机、平板电脑和其他移动计算设备中的电源管理。Si7655DN还可以用于固话电信、蜂窝电话基站和 服务器/计算机系统中的冗余开关、OR-ing和监管应用。

利用新的PowerPAK 1212封装型号和Vishay Siliconix业内领先的P沟道Gen III技术,Si7655DN具有3.6m?(-10V)、4.8m?(-4.5V)和8.5m?(-2.5V)的最大导通电阻。这些性能规格比最接近的-20V器件提高17%或更多。

长期成功离任天堂还比较远

2006年,Wii率先为市场带来了基于手势的游戏控制方式。创新的产品,加上新颖有趣的社交与生活方式软件,让Wii为人所称道并取得巨大成功。任天堂的创新能力与第一方内容,帮助Wii在推出以来全球销量达到惊人的9200万个。

无疑,Wii U巩固了任天堂作为创新者的形象,向市场推出了第一种专门的、全集成第二屏幕游戏体验。但是,游戏消费市场非常分散,永远开机的连网产品非常普及,在这种环境下,只靠产品创新不足以保持对当今主流消费者的吸引力。

这次,Wii U的纯粹创新,加上数量有限的高质量任天堂软件,将不足以让其保持Wii那样的销售势头,尤其是其价格还较高。在追求产品创新的同时,长期成功还取决于通过经常发布来自第一方和第三方的高质量内容,保持消费者参与;有竞争力的非游戏娱乐主张;高明的数字与在线策略。任天堂在推出Wii U的时候,距离提供全面的参与引导的价值主张还有一些距离。

自知之明与改进之心

任天堂最近发表的战略性声明显示,该公司已经认识到弱点,而且愿意采取应对措施以保持竞争力。为产品上市窗口准备的Wii U游戏,所采用的第三方开发商要多于以往。任天堂还与3D游戏引擎提供商Unity合作,以鼓励新的游戏开发者加入进来。在新的一年里,任天堂有额外的后备游戏,可以维持内容的新鲜感。任天堂也在专注于数字与在线策略,推出了自己的升级商店与社区平台。

任天堂上述新措施的执行情况,将在很大程度上决定Wii U在发布阶段过后能否保持市场地位。届时Wii U将与越来越多的连网产品竞争。

*Piers Harding-Rolls是IHS公司的游戏研究资深首席分析师及总监。

Si7655DN的低导通电阻使设计者能够在电路中实现更低的压降,更有效地使用电能,让电池运行的时间更长,且3.3mm x 3.3mm x 0.75mm PowerPAK 1212-8S封装将有助节省宝贵的空间。

Si7655DN是Vishay的TrenchFET Gen III P沟道MOSFET系列中的最新成员。

新的Si7655DN现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为十二周到十四周。