TrendForce指出，由于PC出货持续下修，年增长率衰退达5%，需求旺季不旺导致供过于求态势持续恶化，第三季2Gb单颗合约价从今年七月份的US$1.11至九月底的USS$0.86，大幅滑落22.5%。其它产品别如服务器内存与移动式内存的销售价格亦反应出跌价的趋势。
从第三季需求端做观察，移动式产品包括智能手机以及平板电脑出货畅旺，移动式内存占DRAM总产出比例大幅增加，由第二季的低于20%一举提高至25%，移动式内存占总产出较高的厂商相对市占呈现正向的变化，其中以韩系厂商三星半导体以及日系厂商尔必达为最，在不景气的市况中创造最高获利。
三星、海力士：移动式内存助力大
三星半导体市占率于今年第三季超过四成，与上季相较仅小幅提升，但在DRAM部分的营业利益率仍占17%，表现突出，是唯一获利的DRAM厂。与先前的策略一致，除了制程转进以樽节成本之外，三星在移动式内存的市占最高，挟带其完整的产品系列，在第三季手持装置出货加温的带动之下，其营业利益率至少超过30%，为产业中最高。
SK海力士方面，受到DRAM价格下跌的影响，DRAM部分的营业利益率由正转亏(-5%)，但在市占以及获利率的表现皆处于产业排名第二，表现优异。值得注意的是SK海力士在移动式内存贡献总营收的比例首度超过三成，尤其是受到Apple系列相关产品的需求带动，产品比例获得进一步改善，非标准型DRAM已占总产出的大宗。
与三星半导体相同，两家韩系厂商对于今年第四季的需求预估相对保守，各产品线的平均销售单价恐怕仍呈现跌幅，进一步压缩获利空间。自今年九月起，其它非韩系厂商已经陆续启动减产计划，产业的库存水位逐步降低；若需要回到供需平衡点，可能得倚赖韩系厂商加入减产，才能使DRAM价格逐步从谷底攀升。
日商尔必达虽然财务状况不佳，但在今年第三季营收市占仍处第三名之位，与上季相较市占微幅上升。产品组合方面，由于受到标准型内存减产的影响，相对移动式内存占总营收的比例大幅攀高，缩小亏损幅度。目前尔必达仍在积极转进25纳米，目前处于产品验证阶段，预计于2013年初正式量产。与美光整并案正在进行当中，业界预期在整并过后，尔必达的移动式内存技术能够与美光的闪存相互结合，发展出更完整的产品组合。
美光部分市占率与上季相同，都约在12%，由于其子公司华亚科的代工业务倚赖美光出货部分较高，对于标准型内存的曝险部位亦逐步攀升，营业利益率由上季的-10%降到-15%。但由于其现金水位仍然稳健，短期之内并没有减产计划。移动式内存方面，由于产品组合仍以小容量的MCP为主，单价较低，对营收贡献为国际厂最低。展望未来产业趋势，美光会持续将产品重心放在服务器与网通(Networking)产品类别，同时提升移动式内存出货的比重，藉以维持较稳健的平均销售单价，避免后续亏损扩大。
台系DRAM厂商纷纷启动减产机制
台系厂商方面，综合市占与上季相较衰退1.2%，其中原因以标准型内存价格跌幅达二成以上为最。南科由于第三季标准型内存产出量比重达70%，营收衰退达35.6%，力晶则是标准型内存产出量增加让营收不至于衰退，仅下滑约0.6%，其余如华邦仅有利基性内存销售，营收相对持稳，小幅衰退3.8%，茂德则是正式退出DRAM产业下极力将库存出清，营收反倒增长3.9%。
其中力晶整体营收季增长有4.3%，主要是来自于于代工业务稳定增长，对于力晶财务状况有稳定的作用，但随着标准型内存价格不断下滑，九月份力晶已启动减产机制，大幅缩减标准型内存的投片，将会对未来第四季营收产生不小的影响。瑞晶第三季营收方面也下滑约8.7%，主因在于母公司尔必达因财务状况无力购买全数的内存颗粒，瑞晶于八月开始缩小投片量，亦让营收呈现衰退的走势。
南科在第三季营收方面衰退幅度达35%，除了因内存价格滑落下，日前南科宣布将转型为生产利基型内存的公司，并在明年逐步退出标准型内存市场，此举让PC-OEM厂商购买意愿降低也是主要原因，南科亦在十月宣布减产约20%，避免现金持续流出，让资金可以更有效的利用至转型成利基型内存公司。华亚科方面，第三季营收较上季衰退9.1%，主因也是受到DRAM市场所影响，但由于产品比例正在积极调整当中，提升服务器用内存及移动式内存的产出，营收下滑幅度不致于像南科剧烈，但随着南科在华亚科的投片量减产，将会对第四季营收造成一定程度的冲击。
从市场面来观察，全球DRAM产能从今年高点的1130K减少至十月的1050k，减产幅度约为原先总产能的7.1%，共计80K左右，加上各DRAM厂已有减少资本支出、制程转进趋缓及提升代工业务比例的共识，冀望于2013年首季过后，DRAM供需状态逐步回到健康水位，有助于市场回归基本面。